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罗姆推出650VIGBT实现业界领先的低损耗特性

2026-08-28 03:20| 发布者: 笑笑| 查看: 74878| 评论: 0|来自: 盖世汽车     

摘要:盖世汽车讯据外媒报道,罗姆半导体宣布,已开发出第四代650VIGBT,适用于汽车电动压缩机、高压加热器以及工业设备逆变器等应用。作为车规级650V产品,新款IGBT在VCE(sat)=1.55V时实现了同类领先的低导通损...

盖世汽车讯 据外媒报道,罗姆半导体宣布,已开发出第四代650V IGBT,适用于汽车电动压缩机、高压加热器以及工业设备逆变器等应用。作为车规级650V产品,新款IGBT在VCE(sat)=1.55V时实现了同类领先的低导通损耗,同时具备高短路容差,并符合AEC-Q101汽车可靠性标准。

随着电动汽车向更高电压发展,碳化硅在牵引逆变器等高功率应用中的应用日益广泛。与此同时,650V IGBT也被广泛用作低功率辅助系统的开关器件,例如汽车电动压缩机和高压加热器。硅基IGBT也广泛应用于工业设备,特别是电机和压缩机,预计市场需求将持续增长。

这些应用需要更高的节能效果和更小的设备设计,因此对具有更高可靠性、更小尺寸和更高效率的功率器件有着强劲的需求。特别是,逆变器和加热器电路需要足够的短路容限,以承受短路期间检测和中断过电流所需的时间。

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