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丰田合成成功研制出6英寸氮化镓GaN衬底:打破尺寸纪录,

2022-03-21 04:03| 发布者: 牧晓| 查看: 50858| 评论: 0|来自: IT之家     

摘要:,据businesswire报道,丰田合成ToyodaGosei与大阪大学合作,成功研制出了6英寸的氮化镓GaN衬底。 GaN功率器件广泛用于工业机械,汽车,家用电子等领域,伴随着全球碳中和的目标,GaN功率器件作...

,据businesswire 报道,丰田合成Toyoda Gosei 与大阪大学合作,成功研制出了 6 英寸的氮化镓 GaN 衬底。

丰田合成成功研制出6英寸氮化镓GaN衬底:打破尺寸纪录,

GaN 功率器件广泛用于工业机械,汽车,家用电子等领域,伴随着全球碳中和的目标,GaN 功率器件作为减少电力损失的一种手段而被寄予厚望,因此需要更高质量和更大直径的 GaN 衬底,以实现更高的生产效率。比如下图通过复制灌木和树丛来扩展背景,与导致纹理模糊等瑕疵的原始resize相比,在特征空间中可以保持更真实的纹理。。

在日本环境省牵头的一个项目中,丰田合成和大阪大学采用了一种在钠和镓的液态金属中生长 GaN 晶体的方法,来制造高质量的 GaN 衬底,成功制造出了 6 英寸的衬底,为目前世界最大的衬底。

本站了解到,丰田合成接下来将对 6 英寸衬底的批量生产进行质量评估,继续提高质量,并继续增加直径尺寸,有望超过 6 英寸。

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